Полевой транзистор IPP041N12N3G IPP041N12N3 041N12NГлавная » Каталог товаров » Электрика для дома, выключатели » Все товары » Полевой транзистор IPP041N12N3G IPP041N12N3 041N12N Описание Полевой транзистор IPP041N12N3G IPP041N12N3 041N12N
Полевой N-канальный МОП транзистор ipp041n12n3 выпускаются с маркировкой на корпусе 041N12N. Транзисторы используются в студийных вспышках (моноблоках) и в др. осветительном оборудовании для фотостудий.
Основные характеристики MOSfet транзистора ipp041n12n3 Структура: N Канал Непрерывный ток стока: 120А Напряжение истока-стока Vds: 120В Сопротивление во включенном состоянии Rds (on): 0.0035 Ом Напряжение измерения Rds (on): 10В Пороговое напряжение: Vgs 3В Рассеиваемая мощность: 300Вт Производитель: Infineon Technologies Этот и другие товары можно купить быстро и дешево в Брянском интернет - магазине kiko32.ru Доставка по Брянску самовывозом или курьером. Доставка по России наложенным платежом или СДЭК. Отзывы о Полевой транзистор IPP041N12N3G IPP041N12N3 041N12NОтзывов пока не было. Вы можете оставить его первым
|
Сравнить товары
Нет товаров для сравнения
|